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zui近光刻机和蚀刻机一直都是当前zui热的话题,可以说光刻机是芯片制造的魂,蚀刻机是芯片制造的魄,要想制造的芯片,这两个东西都必须。    这俩机器zui简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面,刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉,这样看起来似乎没什么难的,但是有一个形象的比喻,每一块芯片上面的电路结构放大无-来看比整个北京都复杂,这就是这光刻和蚀刻的难度。    光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶一种可以被光腐蚀的胶状物质,接下来通过光线工艺难度紫外光<深紫外光<极紫外光透过掩膜照射到硅圆表面类似投影,因为光刻胶的覆盖,照射到的部分被腐蚀掉,没有光照的部分被留下来,这部分便是需要的电路结构。    蚀刻分为两种,一种是干刻,一种是湿刻目前主流,顾名思义,湿刻就是过程中有水加入,将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应,去掉不需要的部分,剩下的便是电路结构了,干刻目前还没有实现商业量产,其原理是通过等离子体代替化学溶液,去除不需要的硅圆部分。






很多的涉及到蚀刻品质层面的难题都集中化在蚀刻机上表面上被蚀刻的一部分。掌握这一点是十分关键的。这种难题来源于pcb电路板的上表面蚀刻剂所造成的胶状物结块物的危害。胶状物结块物堆积在铜表层上,一方面危害了喷涌力,另一方面阻挡了新鮮蚀刻液的填补,导致了蚀刻速率的减少。恰好是因为胶状物结块物的产生和堆积促使木板的上下边图型的蚀刻水平不一样。这也促使在蚀刻机中木板-到的一部分非常容易蚀刻的完全或非常容易导致过浸蚀,由于那时候堆积并未产生,蚀刻速率较快。相反,木板后进到的一部分进到时堆积已产生,并缓减其蚀刻速率。

蚀刻机维护保养的首要条件便是要-喷嘴的清理,无堵塞物进而喷涌顺畅。堵塞物或结渣会在喷涌工作压力功效下冲击性版块。倘若喷嘴不干净的,那麼会导致蚀刻不匀称而使一整块pcb损毁。

-地,蚀刻机的维护保养便是拆换损坏件和损坏件,包含拆换喷嘴,喷嘴一样存有损坏的难题。此外,重要的难题是维持蚀刻机不会有结渣,在很多状况下都是会发生结渣堆积.结渣堆积太多,乃至会对蚀刻液的化学反应平衡造成危害。一样,假如蚀刻液发生过多的有机化学不平衡,结渣便会比较-。结渣堆积的难题如何注重都但是分。一旦蚀刻液突然冒出很多结渣的状况,一般 是一个数据信号,即水溶液的均衡发生难题。这就应当用极强的-作适度地清理或对水溶液开展加补。残膜还可以造成结渣物,少量的残膜溶解蚀刻液中,随后产生铜盐沉积。残膜所产生的结渣表明前道去膜工艺流程不完全。去膜欠佳通常是边沿膜与过电镀工艺一同导致的結果。






蚀刻速率:蚀刻速率慢会造成-侧蚀。蚀刻的提高与蚀刻速率的加快有很大关系。蚀刻速度越快,板子在蚀刻液中停留的时间越短,侧蚀量越小,蚀刻出的图形清晰整齐。

4)蚀刻液的ph值:碱性蚀刻液的ph值较高时,侧蚀增大。峁见图10-3为了减少侧蚀,一般ph值应控制在8.5以下。

5)蚀刻液的密度:碱性蚀刻液的密度太低会加重侧蚀,见图10-4,选用高铜浓度的蚀刻液对减少侧蚀是有利的.

6)铜箔厚度:要达到侧蚀的细导线的蚀刻,采用(超)薄铜箔。而且线宽越细,

铜箔厚度应越薄。因为,铜箔越薄在蚀刻液中的时间越短,侧蚀量就越小。







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